工藝平臺是模擬芯片設(shè)計(jì)與制作的基礎(chǔ)。美芯晟科技（北京）股份有限公司成立于 2008 年，專注于高性能模擬及數(shù)模混合芯片研發(fā)和銷售，在 BCD 高壓集成工藝開發(fā)方面，公司建立了自有工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)，具有自主研發(fā)工藝及開發(fā)特殊器件的能力，不再單純依賴晶圓代工廠提供的標(biāo)準(zhǔn)工藝。

公司自主研發(fā)的 700V-BCD 高壓集成工藝和 100V-BCD 器件工藝能夠促進(jìn)芯片生產(chǎn)成本的優(yōu)化以及供應(yīng)鏈整合，不再單純依賴晶圓代工廠提供的標(biāo)準(zhǔn)工藝，可以開發(fā)出具有特色的集成電路產(chǎn)品，進(jìn)一步節(jié)省晶圓加工的層數(shù)與成本，大幅提升公司產(chǎn)品的市場競爭力。

1）700V-BCD 高壓集成工藝

700V-BCD 高壓集成工藝是 LED 驅(qū)動及 AC-DC 控制器（含高壓啟動）產(chǎn)品線的主流工藝平臺，晶圓代工廠提供的標(biāo)準(zhǔn)工藝一般需要 13 層以上光罩。公司自研的第二代 700V-BCD 高壓集成工藝可將光罩層數(shù)降低到 12 層，同時對超高壓器件進(jìn)行版圖與工藝的優(yōu)化，使得抗浪涌能力提高 30% 以上。該工藝能夠節(jié)省外圍抗浪涌器件數(shù)量，節(jié)約生產(chǎn)成本，在同類工藝中優(yōu)勢明顯。目前，公司的 LED 照明驅(qū)動芯片及有線快充芯片（在研）產(chǎn)品線已采用該工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、生產(chǎn)。

在自研第二代的基礎(chǔ)上，公司不斷迭代升級，進(jìn)一步研發(fā)第三代 700V-BCD 高壓集成工藝。研發(fā)完成后，可將光罩層數(shù)進(jìn)一步減少到 10 層，同時優(yōu)化集成的 5V 低壓器件，總體成本較第二代工藝降低 30% 以上。

2）100V-BCD 器件工藝

60V-BCD 器件工藝是 LED 驅(qū)動控制器（不含高壓啟動）、AC-DC 控制器（不含高壓啟動）及 DC-DC 等產(chǎn)品的主流工藝平臺。隨著車用芯片、智能家居應(yīng)用芯片及 USB-PD 與 QC3.0 以上的快充應(yīng)用的發(fā)展，60V 耐壓的器件工藝平臺已不能滿足芯片開發(fā)的要求，需要擴(kuò)展 80V~100V 器件，在通用的 60V-BCD 器件平臺上額外增加 2~5 層光罩。目前，具有 100V-BCD 器件工藝平臺的晶圓代工廠數(shù)量較少，產(chǎn)能受到限制。

公司以現(xiàn)有通用的 60V-BCD 器件工藝平臺為基礎(chǔ)，在不增加光罩層數(shù)的前提下自研 100V-BCD 器件工藝，開發(fā)出 80V、100V 器件。目前，該工藝已運(yùn)用于 LED 照明驅(qū)動芯片及有線快充芯片（在研）的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)。

公司將上述核心技術(shù)充分應(yīng)用于產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)，推出了一系列具有市場競爭力的核心產(chǎn)品，形成了良好的口碑，奠定了公司的市場地位。未來，公司將通過持續(xù)的研發(fā)投入和技術(shù)積累，與晶圓代工廠形成戰(zhàn)略合作關(guān)系，在 0.18um-BCD 工藝上自研工藝及開發(fā)特定器件，形成獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，為后續(xù)信號鏈傳感器芯片的設(shè)計(jì)研發(fā)、靈敏度優(yōu)化、抗噪聲能力增強(qiáng)等方面打下良好的基礎(chǔ)。